在電力電子系統(tǒng)中，功率半導體分立器件的性能直接影響整體系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。因此，準確地測量和理解這些器件在各種工作條件下的動態(tài)特性是設計和應用的關鍵。雙脈沖測試作為一種評估這些特性的標準方法，能夠提供關于器件行為的深入洞察。
 

　　雙脈沖測試簡介
 

　　一、什么是雙脈沖測試
 

　　雙脈沖測試的基本原理是在受控的實驗環(huán)境中，對MOSFET或IGBT施加兩個短暫的脈沖信號。
 

　　第一個脈沖用于將器件從關閉狀態(tài)切換到開啟狀態(tài)，以獲得一定電流，而第二個脈沖則是用來模擬器件在實際應用中可能遇到的再次開啟。
 

　　通過測量器件在兩次脈沖之間的響應，包括開關時間、開關能量、電流和電壓波形等，可以詳細了解器件的動態(tài)性能。
 

　　二、為什么要進行雙脈沖測試
 

　　雙脈沖測試能夠模擬功率半導體在電路中真實的工作狀態(tài)，特別是開關過程中的動態(tài)行為，達到以下幾種效果：
 

　　1、測定器件的開關時間、損耗以及其他關鍵性能參數，為設計高效和可靠的電力電子系統(tǒng)提供關鍵參考。
 

　　2、揭示器件在高速開關和大電流負載下的熱行為和電壓應力情況，以預測器件的長期穩(wěn)定性和故障率。
 

　　3、優(yōu)化器件的驅動策略，提高系統(tǒng)的整體性能和效率。
 

　　功率半導體分立器件測試能力
 

　　一、測試設備
 

　　我司具備完整的動態(tài)測試平臺，適應各類型分立器件的開關、反向恢復測試。
 

　　設備特點：
 

　　●  針對SiC MOS及IGBT設計
 

　　●  800 V/150 A的工作范圍
 

　　●  可自定義脈沖寬度

 

　　二、測試案例
 

　　1、Switching Time
 

　　2、Reverse Recovery
 

　　功率半導體分立器件測試服務介紹
 

　　廣電計量引進國內外的測試技術和設備，具備功率半導體器件的全參數測試能力。
 

　　在第三代半導體領域，針對SiC功率器件的高壓、高溫、大功率等特點，現行的測試技術及設備已不能有效模擬出器件的工作壽命和偏置下的應力狀態(tài)廣電計量采用全新的硬件設計方案及制板工藝成功實現高達1000V的HV-H3TRB和HV-HAST和高達225°C的HTXB試驗能力，充分驗證SiC功率器件的極限工作穩(wěn)定性，彌補了國內相關器件可靠性驗證技術的空白。為國內三分之二的功率器件企業(yè)提供參數測試、可靠性試驗及失效分析。
 

　　第三代半導體檢測領域合作客戶超過80家，樣品數量三十余萬件。成功案例：順利為包括泰科天潤、瞻芯電子、三安集成、清純半導體、基本半導體、愛仕特等在內企業(yè)提供SBD、MOS的全套AEC-0101認證服務。